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irfb4710场效应管参数,irfb4710场效应管代换,KIA3510A-KIA MOS管
KIA3510A漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（打开）=14mΩ（max）@VGS=10V，具有低栅极-漏极电荷可降低开关损耗、100%雪崩测试、可靠且坚固、提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）等特性；KIA3510A 75A 100V场效应管能够代换irfb4710型号，广泛应用于逆变器、...www.kiaic.com/article/detail/4657.html 2023-12-12
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mos管和三极管详解,mos管三极管电路图-KIA MOS管
NPN晶体管是最常见的三极管（BJT），它是一个双极结晶体管（BJT），有三条腿，分别是：基极 （b）集电极 （c）发射极 （e）。MOSFET场效应管是另一种常用的晶体管类型。它也具有三个引脚：栅极（G）漏极（D）源极（S）。www.kiaic.com/article/detail/4656.html 2023-12-12
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彩灯控制电路设计,彩灯控制电路图-KIA MOS管
由555构成的多谐振荡器输出时间脉冲提供给74LS194;通过1个拨码开关控制2个74LS194的清零端，实现全亮、全灭功能；通过两组4位共8个拨码开关来控制8个彩灯的预置；通过2个拨码开关来选择S1,S0的状态，分别实现彩灯的左右移动、保持和预置的功能。www.kiaic.com/article/detail/4655.html 2023-12-12
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nce0117k参数,nce0117k代换,KIA6110A中文资料-KIA MOS管
KIA6110是性能出色的沟槽N沟道MOSFET，先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应设计等特性，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。KIA6110A 12A 100V场效应...www.kiaic.com/article/detail/4654.html 2023-12-11
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电阻率单位,电阻率计算公式详解-KIA MOS管
国际制单位：欧姆·米。 符号：Ω·m 或者ohmm。常用的单位：欧姆·厘米。符号：Ω·cm；欧姆·毫米。符号：Ω·mm注意：电阻率的国际制单位以前用Ω·mm2/m表示。意为横截面积1mm2、长度1m的电阻的电阻率。现在简化成Ω·m，...www.kiaic.com/article/detail/4653.html 2023-12-11
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源极漏极栅极怎么区分,英文及符号-KIA MOS管
源极：是与通道的一端形成连接的终端。通常情况下，源极端子提供多数电荷载流子，会产生通过结型场效应管（JFET）的电流。www.kiaic.com/article/detail/4652.html 2023-12-11
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cmd5950参数,CMD5950替代型号,KPD8610A中文资料-KIA MOS管
KPD8610A是一款P沟道MOSFET，采用先进的高密度沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V，具有超低栅电荷、优异的cdv/dt效应降低等特性，KPD8610A场效应管-100V -35A可以代换CMD5950、NCE01P30K、DH100P30型号使用，能够提供可靠...www.kiaic.com/article/detail/4651.html 2023-12-08
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ss510二极管参数,ss510二极管代换-KIA MOS管
SS510是肖特基二极管，由硅材料制成，封装SMA/SMB/SMC，其比较突出的特点是，正向压降低，反向恢复时间极短，具有较低的反向漏电流和快速的开关速度，通常被用于高速开关电路和高效能量转换器等应用中。www.kiaic.com/article/detail/4650.html 2023-12-08
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二极管电流方向,二极管电流方向示意图-KIA MOS管
二极管（Diode）是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能， 即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。 因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。www.kiaic.com/article/detail/4649.html 2023-12-08
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NCE01P30K参数及代换,NCE01P30K引脚资料PDF-KIA MOS管
NCE01P30K代换场效应管KIA35P10A是一款电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷。KIA35P10A漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252。www.kiaic.com/article/detail/4648.html 2023-12-07
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三点式振荡电路原理、电路图分析-KIA MOS管
LC并联谐振电路三个端子分别接至晶体管的e,b,c上，满足相位平衡条件和振幅平衡条件，这样组成的振荡电路称为三点式振荡电路。三点式振荡电路主要分为电感三点式和电容三点式振荡电路。www.kiaic.com/article/detail/4647.html 2023-12-07
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5551三级管引脚参数,2n5551参数与管脚图-KIA MOS管
2N5551三极管是常用的半导体器件，为NPN晶体管，用于开关或放大电子信号以及电力，它至少有三个端子，用于连接外部电路。2N5551三极管主要设计用于高压电路，用于开关和放大等一般用途，集电极到发射极的电压为160V，集电极到基极的电压为180V，因此可以简单地...www.kiaic.com/article/detail/4646.html 2023-12-07
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nce01p18k参数及代换,nce01p18k引脚图,KIA23P10A-KIA MOS管
nce01p18k参数代换KIA23P10A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流为-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷，广泛应用电动车报警器、开关等领域。www.kiaic.com/article/detail/4645.html 2023-12-06
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MOS管驱动电压一般多少？最大多少？详解-KIA MOS管
在一些使用MOS进行大电流开关应用的场合中，由于电流比较大，此时MOS由于Rds导通内阻的存在，会导致MOS发热比较严重，为了减小MOS管的发热，我们一般通过提高Gate驱动电压来降低MOS管的Rds导通内阻，从而降低发热。www.kiaic.com/article/detail/4644.html 2023-12-06